
home Все Новости open_in_new Подробнее
Разработаны методы контроля качества полупроводников для электроники будущего

Ученые СПбГЭТУ «ЛЭТИ» разработали методы контроля качества полупроводников из карбида кремния, позволяющие характеризовать дефекты в промышленных масштабах. Эта технология, первая в России, направлена на обеспечение 100% контроля качества SiC-пластин, что критически важно из-за высокой стоимости материала и производства электронных компонентов на его основе. Разработка ведется в рамках программы «Приоритет 2030» и направлена на создание перспективной замены кремниевым устройствам.
today 2 недель назад attach_file Общество
attach_file
Транспорт
attach_file
Общество
attach_file
Общество
attach_file
Экономика
attach_file
Политика
attach_file
Общество
attach_file
Общество
attach_file
Политика
attach_file
Общество
attach_file
Общество
attach_file
Разное
attach_file
Общество
attach_file
Общество
attach_file
Общество
attach_file
События
ID: 3759899008