home Все Новости open_in_new Подробнее

Разработаны методы контроля качества полупроводников для электроники будущего

Технология позволяет характеризовать дефекты на высоком уровне в промышленных масштабах, заявили в ЛЭТИ.



Ученые СПбГЭТУ «ЛЭТИ» разработали методы контроля качества полупроводников из карбида кремния, позволяющие характеризовать дефекты в промышленных масштабах. Эта технология, первая в России, направлена на обеспечение 100% контроля качества SiC-пластин, что критически важно из-за высокой стоимости материала и производства электронных компонентов на его основе. Разработка ведется в рамках программы «Приоритет 2030» и направлена на создание перспективной замены кремниевым устройствам.

today 2 недель назад attach_file Общество

attach_file Транспорт
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Культура
attach_file Общество
attach_file Экономика
attach_file Политика
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Политика
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Разное
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file Общество
attach_file События
attach_file Общество


ID: 3759899008
Add Watch Country

arrow_drop_down